Intel Broadwell-E: спецификации CPU опубликованы до официальной премьеры

Незадолго до официальной премьеры высокопроизводительных процессоров Intel Broadwell-E, которая пройдёт в рамках выставки Computex Taipei 2016 в предстоящий понедельник, 30 мая, характеристики новых чипов «утекли» в Сеть. Попавшие в руки наших зарубежных коллег с сайта WCCFTech слайды подтвердили более раннюю информацию о том, что новая серия CPU Intel класса HEDT (High End Desktop) будет состоять из четырёх моделей, изготавливаемых по 14-нм технологическому процессу и совместимых с материнскими платами на чипсетах X99.

Самым доступным представителем данного квартета выступает шестиядерный Core i7-6800K, оценённый в $434. Старшим же в семействе является Core i7-6950X, количество вычислительных ядер у которого равно десяти, при этом его стоимость превышает $1700. Столь внушительный ценник, скорее всего, объясняется тем, что Core i7-6950X — первый на рынке десятиядерный процессор для настольных ПК.

МодельCore i7-6950XCore i7-6900KCore i7-6850KCore i7-6800K
Техпроцесс14 нм14 нм14 нм14 нм
Кол-во ядер/потоков10/208/166/126/12
Частота (номинал)3,0 ГГц3,2 ГГц3,6 ГГц3,4 ГГц
Частота (Turbo Boost)3,5 ГГц3,7 ГГц3,8 ГГц3,6 ГГц
Кеш L325 Мбайт20 Мбайт15 Мбайт15 Мбайт
Разблокированный множительдададада
ЧипсетX99
X99X99X99
РазъёмLGA 2011-3LGA 2011-3LGA 2011-3LGA 2011-3
Кол-во линий PCI-E40404028
Тип памятиDDR4-2400DDR4-2400DDR4-2400DDR4-2400
TDP140 Вт140 Вт140 Вт140 Вт
Цена$1723$1089$617$434

Кроме перечисленных в таблице основных характеристик четырёх новых CPU о них также известно, что они поддерживают разгон отдельных ядер, а благодаря технологии Turbo Boost Max 3.0 их производительность в одно- и в многопоточном режимах возросла в среднем на 15 % (прирост вычислен на основании результатов сравнения Core i7-6950X и Core i7-5960X). Однако подробности о Turbo Boost Max 3.0 пока не раскрываются — о них, вероятно, расскажут непосредственно в ходе презентации в понедельник.

Зато уже сейчас известно количество транзисторов, размещённых в представителях серии Intel Broadwell-E: для кристаллов площадью 246 мм2 оно составляет 3,4 млрд, для кристаллов 305 мм2 — 4,7 млрд. Для сравнения: предыдущее поколение Haswell-E на площади 355 мм2 могло содержать лишь 2,6 млрд транзисторов.

Нравится14
Комментарии (10)
B
i
u
Спойлер