Samsung начинает массовое производство 64-слойной памяти 3D V-NAND

Компания Samsung объявила о старте массового производства 64-слойных микросхем флеш-памяти TLC 3D NAND, основанных на технологии 3D V-NAND четвёртого поколения. Южнокорейский гигант запустил в производство чипы ёмкостью 256 Гбит (32 ГБ), а спустя некоторое время настанет черёд микросхем объёмом 512 Гбит (64 Гбайт). Данная память способна обеспечивать скорость передачи данных до 1 Гбит/с и обладает таймингами tPROG (типичное время программирования страницы) в 500 микросекунд, что делает её самым быстрым решением на рынке.

64-слойная 3D V-NAND флеш-память Samsung

Представители компании утверждают, что по сравнению с предыдущими 48-слойными микросхемами 3D V-NAND, которые использовались в накопителях Samsung SSD 850 EVO, новая флеш-память получила ряд преимуществ. Общая производительность и энергоэффективность выросли более чем на 30%, последняя, в том числе, за счет снижения напряжения питания с 3,3 В до 2,5 В. Кроме того, долговечность одной ячейки возросла на 20% по сравнению с предшественником. К концу года количество выпущенных 64-слойных пластин должно составить более 50% от всех произведённых микросхем, а уже сейчас ведется разработка терабитных чипов, имеющих 90 слоев и более.

Нравится7
Комментарии (4)
B
i
u
Спойлер