Samsung представила четвёртое поколение микросхем 3D V-NAND

Южнокорейский гигант Samsung в рамках конференции Flash Memory Summit 2016 представил четвёртое поколение энергонезависимой памяти 3D V-NAND с 64-слойной архитектурой. Для сравнения, твердотельные накопители Samsung SSD 850 EVO используют микросхемы с 48 слоями, а SSD 850 Pro — 32-слойные.

Новые чипы 3D V-NAND обладают ёмкостью в 512 Гбит (64 ГБ), а скорость последовательного чтения одного такого чипа достигает значения 100 МБ/с. Samsung планирует начать производство первых продуктов на основе 64-слойных микросхем уже в следующем квартале, а одним из первых станет 32-терабайтный промышленный SSD в форм-факторе 2,5-дюйма с интерфейсом SAS.

Тем временем, геймеры и компьютерные энтузиасты также не останутся обделёнными — Samsung анонсировала новую линейку NVMe твердотельных накопителей под названием Z-SSD, созданных на основе «уникального дизайна схемы и контроллера». По словам представителей компании, новинки смогут похвастаться в 1,6 раза большей скоростью, нежели накопители PM963 NVMe. Z-SSD попадут на прилавки магазинов в следующем году.

Нравится9
Комментарии
    B
    i
    u
    Спойлер