Samsung приступила к массовому производству микросхем памяти GDDR6 плотностью 16 Гбит

Samsung Electronics сегодня объявила о начале массового выпуска первых в мире 16-гигабитных (2 ГБ) микросхем памяти GDDR6, которые найдут применение в графических ускорителях следующего поколения, а также оборудовании для искусственного интеллекта и «умных» автомобилей.

Новые чипы Samsung GDDR6 производятся согласно 10-нанометровому техпроцессу, работают при напряжении в 1,35 и характеризуются скоростью передачи информации в 18 Гбит/с на контакт. Иными словами, одна такая микросхема способна обеспечить пропускную способность в 72 Гбайт/с, что вдвое больше показателей памяти GDDR5, использующейся в большинстве современных видеокарт. Кроме того, благодаря уменьшенному рабочему напряжению (1,35 В против 1,55 В у GDDR5) новые микросхемы потребляют на 35% меньше энергии.

Для наглядности, использование чипов GDDR6 (18 Гбит/с на контакт) вместо GDDR5X (10 Гбит/с) в ускорителе GeForce GTX 1080 позволило бы поднять пропускную способность памяти (ПСП) с 320 Гбайт/с до 576 Гбайт/с. Данные показатели ставят его в один ряд с адаптером Titan Xp, оборудованным микросхемами GDDR5X со скоростью передачи данных в 11,4 Гбит/с на контакт, обеспечивающими ПСП около 548 Гбайт/c при в полтора раза большей шине.

Нравится4
Комментарии (15)
B
i
u
Спойлер