Samsung начала массовое производство улучшенных чипов DDR4 DRAM по нормам техпроцесса 10-нм класса второго поколения

Компания Samsung заявила о начале массового производства первых в отрасли чипов памяти DDR4 DRAM ёмкостью 8 Гбит по нормам технологического процесса 10-нанометрового класса второго поколения. Такие чипы могут использоваться в широком перечне вычислительных устройств. Как отмечает производитель, новые чипы DDR4 DRAM ёмкостью 8 Гбит облают наиболее высокими показателями производительности и энергоэффективности среди подобных устройств. К тому же, они имеют наименьшие физические размеры.

Чипы памяти DDR4 DRAM, изготовленные по нормам технологического процесса 10-нанометрового класса второго поколения обеспечивают прирост эффективности производства на уровне 30% по сравнению с такими же чипами компании, но изготовленными на базе технологии первого поколения. Кроме того, прирост производительности чипов составляет около 10%, а прирост энергоэффективности – около 15%. Этого удалось достичь благодаря внедрению улучшенной проприетарной технологии проектирования логических схем. Анонсированные чипы обеспечивают пропускную способность 3600 Мбит/с для каждого разъёма, в то время как аналогичные чипы на базе технологии первого поколения обеспечивали скорость передачи данных 3200 Мбит/с на разъём.

Сообщается, что Samsung уже закончила процесс проверки совместимости модулей памяти на базе новых чипов с процессорами. Теперь такие устройства могут начать использоваться в составе компьютерных систем.

Нравится5
Комментарии (2)
B
i
u
Спойлер