Samsung Electronics объявила о разработке первого в отрасли LPDDR5X DRAM, способного развивать скорость до 10,7 Гигабит в секунду, что делает его самым быстрым из доступных на данный момент.
В этом усовершенствовании используется технологический процесс 12-нанометрового класса, который позволяет Samsung достигать наименьшего размера чипа в категории LPDDR, укрепляя свои позиции на рынке DRAM с низким энергопотреблением.
Юнчол Бэ, исполнительный вице-президент Samsung Electronics по планированию продуктов памяти, подчеркнул растущий спрос на маломощную высокопроизводительную память в различных секторах, включая мобильные устройства, ПК, серверы и автомобильные приложения. Эта новая технология памяти готова удовлетворить растущие требования к приложениям искусственного интеллекта на устройствах, которые требуют надежных возможностей обработки данных непосредственно на устройствах.
Накопитель LPDDR5X DRAM от Samsung обеспечивает не только повышение производительности на 25%, но и увеличение емкости на 30% по сравнению со своими предшественниками, поддерживая до 32 гигабайт на один пакет памяти. Это усовершенствование имеет решающее значение для приложений, требующих интенсивной обработки данных и большого объема памяти. Кроме того, Samsung интегрировала в LPDDR5X передовые технологии энергосбережения. К ним относятся оптимизированная функция изменения мощности, которая регулирует потребление энергии в зависимости от рабочей нагрузки, и усовершенствования режима низкого энергопотребления, которые увеличивают периоды энергосбережения. В совокупности эти инновации повышают энергоэффективность на 25%, способствуя увеличению срока службы батареи мобильных устройств и снижению затрат на электроэнергию серверов.
Samsung планирует начать массовое производство этого высокоскоростного LPDDR5X DRAM во второй половине года после успешных тестов с производителями процессоров мобильных приложений и устройств.
