Samsung представила революционную оперативную память на 512 ГБ

Samsung представила новейшее решение, технологию, позволяющую расположить 512 ГБ памяти DDR5 на одной планке (RAM).

Южнокорейская компания является одним из ведущих поставщиков памяти DDR4. 6 апреля техногигант разместил на своем канале видео, показывающее последние возможности модульной технологии DDR5−7200 МГц. По представленному контенту можно понять, что ведется разработка объемной оперативной памяти.

Диаграмма показывает новую разработку. Оба чипа собраны на технологии «связи сквозь кремний» (Samsung Through Silicon Via). Фото: Samsung

На диаграмме можно понять разницу между 4-слойными чипами памяти DDR4 от Samsung и 8-слойными чипами DDR5.

Новые модули RAM DDR5 емкостью 512 ГБ используют более совершенную технологию многослойной укладки памяти. Такой же принцип применяется в последних модулях памяти DDR4.

Благодаря шлифовке кремниевых слоев удалось сделать составляющие матрицы на 40 процентов тоньше. Аналогичным образом получилось уменьшить расстояние между слоями. Эта конструкция плотнее и тоньше предыдущих: 1,0 мм против 1,2 мм. Samsung сможет производить планки оперативной памяти объемом 512 ГБ с 8 сложенными и соединенными модулями DRAM.

Представленная технология достигает скорости до 6400 Мбит/с, что в два раза быстрее предыдущего поколения.

Увеличение производительности не повлияет на эффективность энергопотребления, пишет gizmochina. Новая разработка более чем на 30% энергоэффективнее предыдущего поколения. Для полной работы оперативной памяти DDR5 потребуется относительно низкое напряжение.

Samsung упомянула, что будет поставлять новинку центрам обработки данных, производителям смартфонов и ноутбуков. Попадут ли планки 512 ГБ в руки потребителей — неизвестно. Также остается под вопросом цена «чудо-плашки».

Посмотрите полный ролик выпущенный компанией: