Бывших сотрудников Samsung обвинили в передаче Китаю технологий производства памяти DRAM

Южнокорейская прокуратура Центрального округа Сеула официально предъявила обвинения десяти фигурантам, подозреваемым в утечке ключевых национальных технологий в Китай. Среди обвиняемых оказались бывшие сотрудники Samsung Electronics, которые, по версии следствия, передали секреты производства 10-нанометровой оперативной памяти DRAM китайской компании ChangXin Memory Technologies (CXMT). Пятеро из них, включая руководителя группы разработки, были арестованы.

Следствие установило, что бывший высокопоставленный сотрудник Samsung перешел на работу в CXMT, где возглавил отдел разработки и занимался внедрением технологий. Для реализации плана были привлечены другие специалисты, которые устраивались в китайскую корпорацию через подставные фирмы. Один из ключевых исследователей обвиняется в том, что перед переходом к конкуренту собственноручно записал последовательность из сотен этапов технологического процесса производства чипов, чтобы вынести эту информацию.

Утечка данных касалась технологий производства DRAM второго поколения 10-нанометрового класса, на создание которых Samsung потратила пять лет и около 1,6 триллиона вон. Благодаря полученным сведениям китайская компания смогла значительно сократить время разработки и уже в 2023 году запустила массовое производство собственной оперативной памяти. Также сообщается, что один из фигурантов передал информацию о технологиях очистки, принадлежащую SK Hynix, через компанию-партнера.

Представители прокуратуры заявили, что действия обвиняемых нанесли корейской полупроводниковой индустрии ущерб, который оценивается в десятки триллионов вон. В ведомстве отметили, что украденные технологии позволили китайскому производителю создать базу для дальнейшей разработки памяти с высокой пропускной способностью HBM. Правоохранительные органы подчеркнули намерение жестко реагировать на преступления, связанные с утечкой стратегически важных технических разработок за рубеж.