Samsung разрабатывает память GDDR7 с технологией PAM3, позволяющая достичь скорости передачи 36 Гбит/с

©

Samsung заявляет что технология памяти GDDR7 следующего поколения будет на 25% более энергоэффективной, чем GDDR6. Компания сообщает, что этот тип памяти использует импульсно-амплитудную модуляцию PAM3, предлагающая на 25% более высокую эффективность, чем NRZ (Non-Return to Zero), которая в настоящее время используется в памятиGDDR6.

GDDR7 будет поддерживать пропускную способность до 36 Гбит/с, что в два раза выше, чем у текущих чипов скоростью 18 Гбит/с, используемая в большинстве графических карт Radeon RX 6000. Серия Radeon 7000, которая скоро будет выпущена, оснащена памятью GDDR6 20 Гбит/с, однако она все же будет медленнее, чем стандарт GDDR6X, разработанный Micron и NVIDIA для графических процессоров GeForce RTX 30 и 40. Эта технология использует сигнальный метод PAM4 и обеспечивает скорость до 23 Гбит/с.

Видеокарта с памятью GDDR7, будет обеспечивать пропускную способность до 1152 ГБ/с при 256-битной шине памяти и 1728 ГБ/с при шине с 384-битным контроллерам памяти. Память GDDR7 еще находится в стадии разработки, и не будет использоваться в видеокартах в ближайшее время, и Samsung даже не уточнила сроки и планы внедрения нового стандарта.

Комментарии: 0
Ваш комментарий